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广州高速光耦厂家

来源: 发布时间:2022-10-14 点击量:517

现代系统日益增长的需求已经突破了光电隔离技术的局限性。 例如,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 在总线电压和电流较大的高功率系统中至关重要。 IGBT 需要更快地开关,以减少开关损耗并降低功耗。

这些光耦提供的输出电流范围从几十mA 但是,在一些大功率应用中,当输出电流从几A到几十A时,上述小功率器件往往无法满足需求。 因此需要大功率晶闸管、双向可控硅、MOS场效应管等电源。 

高速光耦

晶闸管可以是单向或双向的,可以通过过零或移相触发。 固态继电器也是如此。 因此,它们的用途和形式具有相同类型的产品。 从这个角度(使用形式和性质)来看,没有什么区别,因为固态继电器也是用晶闸管制成的(带三极管的固态继电器除外)。 

当输入信号Vi经晶体管BG1和BG2的前级放大后,驱动光电耦合器左侧的LED发光,并全部被右侧光敏管吸收,转换为电信号。该信号由后级电路BG3放大,管子经过电容C3后,发射极输出一个未失真的放大信号V0

一般的,光耦的电流传输比CTR的允许范围是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要较大的工作电流来驱动,甚至会增加电路功耗,再者单片机I/O口也不能提供过大电流,若CTR值过大,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能系统不稳定,影响正常输出

该设备充当开关元件。 同时,由于上述光耦优异的隔离性能和输出功能,被广泛应用于大功率固态继电器中作为隔离驱动器件。 可采用普通晶体管输出光耦和交流输入光耦来满足固态继电器对直流和交流输入控制的需要。 


高速光耦为提高光控晶闸管触发灵敏度,门极区常采用放大门极结构或双重放大门极结构。为满足高的重加电压上升率,常采用阴极发射极短路结构。

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