东莞光耦EL3H7厂家-亿光芯创

现代系统日益增长的需求已经突破了光电隔离技术的局限性。例如，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 在总线电压和电流较大的高功率系统中至关重要。 IGBT 需要更快地开关，以减少开关损耗并降低功耗。

IF不同不同对应的CTR也不同，并且数据差异还很大，一般情况下在IF=5ma时，CTR值都应该与原有光耦所用区域CTR值的大体一致，要不然产品动态性很差，替代时需要注意选取合适的IF电流，使输入控制电流的变动都能及时反馈到输出端，保证产品反馈环的稳定。

光耦EL3H7

光耦合器是一种以光为介质传输电信号的电-光-电转换器件。它由两部分组成：发光源和受光器。发光源和受光器组装在同一个密封外壳内，通过透明绝缘体相互隔开。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光电二极管、光电三极管等上。

当输入信号Vi经晶体管BG1和BG2的前级放大后，驱动光电耦合器左侧的LED发光，并全部被右侧光敏管吸收，转换为电信号。该信号由后级电路BG3放大，管子经过电容C3后，发射极输出一个未失真的放大信号V0

晶闸管可以是单向或双向的，可以通过过零或移相触发。固态继电器也是如此。因此，它们的用途和形式具有相同类型的产品。从这个角度（使用形式和性质）来看，没有什么区别，因为固态继电器也是用晶闸管制成的（带三极管的固态继电器除外）。

一般的，光耦的电流传输比CTR的允许范围是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要较大的工作电流来驱动，甚至会增加电路功耗，再者单片机I/O口也不能提供过大电流，若CTR值过大,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能系统不稳定,影响正常输出

光耦EL3H7为提高光控晶闸管触发灵敏度,门极区常采用放大门极结构或双重放大门极结构。为满足高的重加电压上升率,常采用阴极发射极短路结构。