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广州可控硅光耦经销商

来源: 发布时间:2023-05-02 点击量:477

交流感应电机在此应用中很常见,可控硅光耦并且始终由功率级中使用的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 驱动。 典型的总线电压为 200 VDC 至 1,000 VDC。 IGBT 使用电子换向来实现交流感应电机所需的正弦电流。

该设备充当开关元件。 同时,由于上述光耦优异的隔离性能和输出功能,被广泛应用于大功率固态继电器中作为隔离驱动器件。 可采用普通晶体管输出光耦和交流输入光耦来满足固态继电器对直流和交流输入控制的需要。 


可控硅光耦

如果你好奇,我建议你拆开一个固态继电器,看看里面。 如果你对电路有一点了解,你可以根据里面的电路自己制作。 一个,嗯! 其实不难,就是少了一个漂亮的贝壳!

当输入信号Vi经晶体管BG1和BG2的前级放大后,驱动光电耦合器左侧的LED发光,并全部被右侧光敏管吸收,转换为电信号。该信号由后级电路BG3放大,管子经过电容C3后,发射极输出一个未失真的放大信号V0

一般的,光耦的电流传输比CTR的允许范围是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要较大的工作电流来驱动,甚至会增加电路功耗,再者单片机I/O口也不能提供过大电流,若CTR值过大,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能系统不稳定,影响正常输出

IF不同不同对应的CTR也不同,并且数据差异还很大,一般情况下在IF=5ma时,CTR值都应该与原有光耦所用区域CTR值的大体一致,要不然产品动态性很差,替代时需要注意选取合适的IF电流,使输入控制电流的变动都能及时反馈到输出端,保证产品反馈环的稳定。

可控硅光耦为提高光控晶闸管触发灵敏度,门极区常采用放大门极结构或双重放大门极结构。为满足高的重加电压上升率,常采用阴极发射极短路结构。

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